| 标题 |
 Frank Dislocations Generation and Behavior Investigation in PVT-Grown 4H-SiC Crystals PVT生长4H-SiC晶体中Frank位错的产生及行为研究
相关领域
固体物理学
材料科学
凝聚态物理
工程物理
结晶学
物理
化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Electronic Materials 作者：Shanshan Hu; Zeyu Chen; Balaji Raghothamachar; Michael Dudley 出版日期：2025-01-05 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
cocolu
爱静静
pluto
fillippo99
maox1aoxin
毛豆
午见千山
萧水白
Billy
坚强的广山
乐乐乐乐乐乐
JoeJ
yar
123
嗯哼
追寻复天
8R60d8
iNk
rosalieshi
tuanheqi
皖公网安备34019202002308
