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Optoelectronic Neuromorphic Logic Memory Device Based on Ga2O3/MoS2 Van der Waals Heterostructure with High Rectification and On/Off Ratios
基于Ga2O3/MoS2范德华异质结构的高整流和开/关比光电神经形态逻辑存储器件
相关领域
整改 材料科学 神经形态工程学 异质结 光电子学 响应度 和大门 堆积 逻辑门 电气工程 人工智能 光电探测器 物理 计算机科学 电压 人工神经网络 算法 核磁共振 工程类
网址
https://doi.org/10.1002/adfm.202408978
DOI
10.1002/adfm.202408978 doi
其它 期刊：Advanced Functional Materials
作者：Yao Zhang; Wei Liu; Lei Zhu; Runzhi Wang; Jiaqi Yu; et al
出版日期：2024-07-30
求助人
lc 在 2024-12-23 15:43:00 发布自江苏，悬赏 10 积分
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