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Understanding the kinetics of Metal Induced Lateral Crystallization process to enhance the poly-Si channel quality and current conduction in 3-D NAND memory
理解金属诱导横向结晶过程的动力学以提高三维NAND存储器中多晶硅沟道质量和电流传导
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期刊:2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者:S. Ramesh; Senthil Vadakupudhu Palayam; Arjun Ajaykumar; Karl Opsomer; João P. A. Bastos; et al 出版日期:2021-12-11 |
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