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 Iron doped InGaAs: Competitive THz emitters and detectors fabricated from the same photoconductor 铁掺杂InGaAs：由同一光电导体制成的竞争性太赫兹发射器和探测器
相关领域
材料科学
光电导性
光电子学
分子束外延
太赫兹辐射
兴奋剂
掺杂剂
共发射极
电子迁移率
深能级瞬态光谱
分析化学（期刊）
外延
化学
硅
纳米技术
图层（电子）
色谱法
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Björn Globisch; R. J. B. Dietz; Robert B. Kohlhaas; Thorsten Göbel; Martin Schell; et al 出版日期：2017-02-01 |
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