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 MoS2/GaN Junction Field‐Effect Transistors with Ultralow Subthreshold Swing and High On/Off Ratio via Thickness Engineering for Logic Inverters 用于逻辑反相器的超低亚阈值摆幅和高通/关断比MoS2/GaN结场效应晶体管通孔厚度工程
相关领域
材料科学
阈下摆动
摇摆
光电子学
晶体管
场效应晶体管
阈下传导
纳米技术
工程物理
电气工程
电压
机械工程
工程类
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| 其它 |
期刊：Advanced Functional Materials 作者：Yao Zhou; Fei Li; Wenfeng Li; Jianru Chen; Jiahao Gao; et al 出版日期：2024-09-06 |
| 求助人 | |
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