| 标题 |
 Characteristics and ultra-high total ionizing dose response of 22 nm fully depleted silicon-on-insulator 22 nm全耗尽绝缘体上硅的特性和超高总电离剂量响应
相关领域
吸收剂量
电离辐射
绝缘体上的硅
材料科学
光电子学
辐照
硅
晶体管
阈值电压
辐射
绝缘体（电）
电压
电气工程
光学
物理
核物理学
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
爱静静
不配.
Singularity
元谷雪
shinysparrow
kento
HEIKU
Hayat
云瑾
寻道图强
zyfqpc
Henry
curtisness
paparazzi221
琉璃苣
AireenBeryl531
善良的书本
zzzyyy
InfoNinja
pluto
皖公网安备34019202002308
