| 标题 |
 High-Temperature Retention Stability of Multibit Ferroelectric HfZrO$_{\text{2}}$ FinFET With SiGe/Si Superlattice Channel for Enhanced Speed and Memory Window 具有SiGe/Si超晶格沟道以提高速度和存储窗口的多位铁电HfZrO$_{\text{2}}$FinFET的高温保持稳定性
相关领域
超晶格
窗口（计算）
材料科学
光电子学
铁电性
频道（广播）
电子工程
计算机科学
电气工程
工程类
电介质
操作系统
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| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Yi-Ju Yao; Tsai-Jung Lin; Chen-You Wei; Bo-Xu Chen; Yung-Teng Fang; et al 出版日期：2024-01-01 |
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