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 High mobility hydrogen-terminated diamond FET with h-BN gate dielectric using pickup method 采用拾取法的具有h-BN栅介质的高迁移率氢端接金刚石场效应管
相关领域
材料科学
钻石
光电子学
电子迁移率
电介质
钝化
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工程类
电压
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Yan Huang; Junfeng Xiao; Ran Tao; Zhi Liu; Yiran Mo; et al 出版日期：2023-09-11 |
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