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 Effects of rubidium substitution of Cs2−xRbxAgBiBr6 double halide perovskites on resistive switching characteristics for memory applications 铷取代Cs2−xRbxAgBiBr 6双卤化物钙钛矿对存储用电阻开关特性的影响
相关领域
卤化物
铷
材料科学
X射线光电子能谱
电阻随机存取存储器
替代（逻辑）
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电阻式触摸屏
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化学
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