Photoelectric performance of InSe vdW semi-floating gate p–n junction transistor

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标题	Photoelectric performance of InSe vdW semi-floating gate p–n junction transistor InSe vdW半浮栅p-n结晶体管的光电性能相关领域材料科学光电子学晶体管光电效应 p-n结激光器整改电压半导体电气工程光学物理工程类
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6528/acf7cb
DOI	10.1088/1361-6528/acf7cb doi
其它	期刊：Nanotechnology 作者：J. Wang; Yipeng Wang; Feng Gao; Zhongming Zeng; Tieying Ma 出版日期：2023-10-04
求助人	neiz 在 2024-07-18 14:23:30 发布自福建，悬赏 10 积分
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