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 Impact of P-type doping and channel length on the performance of 2D SiC MOSFET P型掺杂和沟道长度对2D SiC MOSFET性能的影响
相关领域
MOSFET
材料科学
兴奋剂
光电子学
电容
电压
电极
信道长度调制
电流（流体）
电气工程
晶体管
化学
工程类
物理化学
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期刊：Micro and nanostructures 作者：Hai-Qing Xie; Kaiyue Cui; Xin-Bo Yi; J. Liu; Zhi‐Qiang Fan 出版日期：2023-12-01 |
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