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 New alternative arsenic precursors for the metal-organic vapour-phase epitaxy of III–V semiconductors: in-situ formation of AsH functionality by β elimination of specific metal-organic arsenic compounds 用于III-V半导体金属有机气相外延的新型替代砷前驱体：通过β消除特定金属有机砷化合物原位形成As EuRH官能团
相关领域
金属有机气相外延
三甲基镓
外延
化学
热分解
烷基
砷
金属
无机化学
分析化学（期刊）
有机化学
图层（电子）
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期刊：Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology/Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology 作者：P. Gimmnich; A. Greiling; Jörg Lorberth; C. Thalmann; Klaus Rademann; et al 出版日期：1993-02-01 |
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