The dual-injection Ge-on-Si photodetectors with high saturation power by optimizing light field distribution

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标题	The dual-injection Ge-on-Si photodetectors with high saturation power by optimizing light field distribution 优化光场分布的高饱和功率双注入Ge-on-Si光电探测器相关领域光电探测器响应度光学饱和（图论）材料科学光电子学带宽（计算）电场雷物理电信计算机科学数学量子力学组合数学
网址	https://doi.org/10.1016/j.optcom.2020.126467
DOI	10.1016/j.optcom.2020.126467 doi
其它	期刊：Optics Communications 作者：Jishi Cui; Tiantian Li; Fenghe Yang; Wenjing Cui; Hongmin Chen 出版日期：2021-02-01
求助人	随心在 2024-09-09 10:30:44 发布自天津，悬赏 10 积分
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