TCAD Modeling of a 1200 V SiC MOSFET

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标题	TCAD Modeling of a 1200 V SiC MOSFET 1200 V SiC MOSFET的TCAD建模相关领域材料科学散射 MOSFET 阈值电压表面粗糙度阈下传导阈下斜率表面光洁度凝聚态物理光电子学电压电气工程晶体管光学物理复合材料工程类
网址	https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.689
DOI	10.4028/www.scientific.net/msf.924.689 doi
其它	期刊：Materials Science Forum 作者：Kwang Won Lee; Benedetto Buono; Martin Domeij; Jimmy Franchi 出版日期：2018-06-01
求助人	xiaoyuan 在 2024-03-21 16:46:59 发布自陕西，悬赏 30 积分
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