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 Static, Dynamic, and Short-Circuit Performance of 1.2 kV 4H-SiC MOSFETs with Various Channel Lengths 不同沟道长度1.2 kV 4H-SiC MOSFETs的静态、动态和短路性能
相关领域
MOSFET
材料科学
频道（广播）
电气工程
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工程类
晶体管
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期刊： 作者：Kijeong Han; Ajit Kanale; B. Jayant Baliga; Subhashish Bhattacharya 出版日期：2019-10-01 |
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