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 Charge-plasma-based inverted T-shaped source-metal dual-line tunneling FET with improved performance at 0.5 V operation 0.5 V工作性能改进的基于电荷等离子体的倒T型源极-金属双线隧穿场效应管
相关领域
材料科学
量子隧道
跨导
光电子学
兴奋剂
晶体管
等离子体
电气工程
物理
电压
量子力学
工程类
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期刊：Physica Scripta 作者：Aadil Anam; S. Intekhab Amin; Dinesh Prasad; Naveen Kumar; Sunny Anand 出版日期：2023-07-28 |
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