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 Control of metamorphic buffer structure and device performance of InxGa1−xAs epitaxial layers fabricated by metal organic chemical vapor deposition 金属有机化学气相沉积InxGa1-xAs外延层变质缓冲结构和器件性能的控制
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期刊：Nanotechnology 作者：Hong-Quan Nguyen; Hung Wei Yu; Quang Ho Luc; Yanqun Tang; Van Thinh Phan; et al 出版日期：2014-11-14 |
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