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 Passivation of c-Si surfaces by ALD tantalum oxide capped with PECVD silicon nitride PECVD氮化硅覆盖的ALD氧化钽钝化c-Si表面
相关领域
钝化
等离子体增强化学气相沉积
材料科学
氮化钽
硅
氮化硅
薄脆饼
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氧化硅
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光电子学
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计算机科学
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期刊：Solar Energy Materials and Solar Cells 作者：Yimao Wan; James Bullock; Andrés Cuevas 出版日期：2015-06-17 |
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