标题 |
Anisotropic transport investigation through different etching depths in InAs/InAsSb T2SL barrier midwave infrared detector
InAs/InAsSb T2SL势垒中波红外探测器不同刻蚀深度的各向异性输运研究
相关领域
红外线的
材料科学
光电子学
各向异性
蚀刻(微加工)
探测器
锑化镓
光学
纳米技术
物理
超晶格
图层(电子)
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期刊:Infrared Physics & Technology 作者:Vignesh Arounassalame; Maxime Bouschet; Rodolphe Alchaar; R. Ferreira; Francesca Carosella; et al 出版日期:2022-08-25 |
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