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 Photoelectron Holographic Study for Atomic Site Occupancy for Si Dopants in Si-Doped κ-Ga2O3(001) Si掺杂κ-Ga2O3（001）中Si掺杂剂原子位置占据的光电子全息研究
相关领域
掺杂剂
X射线光电子能谱
八面体
兴奋剂
结晶学
化学
材料科学
分析化学（期刊）
晶体结构
核磁共振
物理
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色谱法
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期刊：Nano Letters 作者：Yuhua Tsai; Yusuke Hashimoto; ZeXu Sun; Takuya Moriki; Takashi Tadamura; et al 出版日期：2024-03-07 |
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