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 FINFET technology featuring high mobility SiGe channel for 10nm and beyond FINFET技术采用高迁移率SiGe沟道，适用于10nm及以上
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期刊： 作者：Dechao Guo; G. Karve; Gen Tsutsui; KY Lim; Robert R. Robison; et al 出版日期：2016-06-01 |
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