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Low ohmic contact resistivity realized by in situ SiNx insertion for high Al-composition-AlGaN/GaN heterostructure
通过原位插入SiNX实现高Al成分-TGA/Gap杂结构的低电阻率
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Hanghai Du; Zhihong Liu; Lu Hao; Weichuan Xing; Weihang Zhang; et al 出版日期:2022-10-24 |
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