标题 |
![]() (110)C-H金刚石:ALD Al₂O₃/Diamond上的MOSFETs界面分析及高性能常关操作实现
相关领域
钻石
原子层沉积
材料科学
高分辨率透射电子显微镜
MOSFET
硅
化学气相沉积
光电子学
透射电子显微镜
分析化学(期刊)
图层(电子)
纳米技术
晶体管
化学
电气工程
冶金
工程类
色谱法
电压
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Benjian Liu; Te Bi; Yu Fu; Ken Kudara; Shoichiro Imanishi; et al 出版日期:2022-02-09 |
求助人 | |
下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|