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Effect of oxygen vacancy and Si doping on the electrical properties of Ta2O5 in memristor characteristics
忆阻器特性中氧空位和Si掺杂对Ta2O5电学性能的影响
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期刊:Scientific Reports 作者:Md. Sherajul Islam; Jonghoon Lee; Sabyasachi Ganguli; Ajit K. Roy 出版日期:2023-10-03 |
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