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标题
Phase-Engineered In2Se3 Ferroelectric P-N Junctions in Phototransistors for Ultra-Low Power and Multiscale Reservoir Computing
用于超低功耗和多尺度储层计算的光电晶体管中的相位工程In2Se3铁电P-N结
相关领域
材料科学 铁电性 超低功耗 光电子学 相(物质) 纳米技术 功率(物理) 物理 功率消耗 电介质 热力学 量子力学
网址
DOI
10.1021/acsnano.5c00250 doi
其它 期刊:ACS Nano
作者:Jing‐Feng Li; Xiaoting Wang; Yang Ma; Wei Han; Kexin Li; et al
出版日期:2025-03-26
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聪慧海蓝 在 2025-04-23 14:50:49 发布自北京,悬赏 10 积分
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