The study of Shallow Trench Isolation gap-fill for 28nm node and beyond

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标题	The study of Shallow Trench Isolation gap-fill for 28nm node and beyond 28nm及以上节点浅沟槽隔离间隙填充研究相关领域浅沟隔离硅沟槽材料科学氧化物光电子学氧化硅原子层沉积蚀刻（微加工）图层（电子）节点（物理）竖琴修剪沉积（地质）电气工程复合材料工程类冶金结构工程物理地质学量子力学沉积物古生物学氮化硅
网址	https://doi.org/10.1109/cstic.2015.7153405
DOI	10.1109/cstic.2015.7153405 doi
其它	期刊：China Semiconductor Technology International Conference 作者：Yu Bao; Xiaoqiang Zhou; Ningbo Sang; Lei Tong; Gang Shi; et al 出版日期：2015-03-01
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