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[求助补充材料]
 Metal-insulator-semiconductor type diode based on implanted β-Ga2O3 epilayers grown on sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition 用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长基于注入β-Ga2O3外延层的金属-绝缘体-半导体型二极管
相关领域
材料科学
化学气相沉积
光电子学
金属有机气相外延
二极管
外延
阳极
阴极
击穿电压
蓝宝石
基质（水族馆）
绝缘体（电）
半导体
图层（电子）
电压
纳米技术
化学
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物理化学
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期刊：Materials today advances 作者：Ray‐Hua Horng; Apoorva Sood; Siddharth Rana; Niall Tumilty; Fu‐Gow Tarntair; et al 出版日期：2023-06-01 |
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