标题 |
Quantum Transport Simulation of Sub-1-nm Gate Length Monolayer MoS2 Transistors
亚1nm栅长MoS2单层晶体管的量子输运模拟
相关领域
单层
晶体管
光电子学
量子
材料科学
物理
纳米技术
量子力学
电压
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其它 |
期刊:arXiv (Cornell University) 作者:Ying Li; Yang Shen; Lin Xu; Shiqi Liu; Yang Chen; et al 出版日期:2024-04-21 |
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