Investigation on Surge Current Capability of 4H-SiC Trench-Gate MOSFETs in Third Quadrant Under Various V GS Biases

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标题	Investigation on Surge Current Capability of 4H-SiC Trench-Gate MOSFETs in Third Quadrant Under Various V GS Biases 不同V GS偏压下第三象限4H-SiC沟槽栅MOSFET浪涌电流能力的研究相关领域符号数学离散数学算法算术
网址	https://doi.org/10.1109/jestpe.2020.3028094
DOI	10.1109/jestpe.2020.3028094 doi
其它	期刊：IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 作者：Zhengyun Zhu; Hongyi Xu; Li Liu; Na Ren; Kuang Sheng 出版日期：2020-10-01
求助人	kingJames 在 2024-09-25 11:10:27 发布自浙江，悬赏 10 积分
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