Low-pressure CVD grown Si-doped β-Ga2O3 films with promising electron mobilities and high growth rates

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标题	Low-pressure CVD grown Si-doped β-Ga2O3 films with promising electron mobilities and high growth rates 低压CVD生长具有良好电子迁移率和高生长速率的Si掺杂β-Ga2O3薄膜相关领域兴奋剂动性材料科学电子硅化学气相沉积电子迁移率分析化学（期刊）光电子学化学物理环境化学社会科学量子力学社会学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0245559
DOI	10.1063/5.0245559 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Saleh Ahmed Khan; Ahmed Ibreljic; Stephen Margiotta; A F M Anhar Uddin Bhuiyan 出版日期：2025-01-02
求助人	hui 在 2025-03-10 15:34:38 发布自福建，悬赏 10 积分
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