Dopant Distribution during Low Energy Implant Anneal Due to Photoresist Breakdown and Anneal Ambient Effects

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标题	Dopant Distribution during Low Energy Implant Anneal Due to Photoresist Breakdown and Anneal Ambient Effects 由于光刻胶击穿和退火环境效应导致的低能注入退火过程中的掺杂剂分布相关领域掺杂剂光刻胶材料科学薄脆饼离子注入硅硼薄板电阻退火（玻璃）光电子学基质（水族馆）兴奋剂纳米技术冶金化学离子图层（电子）海洋学有机化学地质学
网址	https://doi.org/10.1149/1.1885405
DOI	10.1149/1.1885405 doi
其它	期刊：Journal of The Electrochemical Society 作者：Peter M. Kopalidis; Serguei Kondratenko 出版日期：2005-01-01
求助人	Gaoge 在 2025-03-07 10:26:00 发布自北京，悬赏 10 积分
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