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标题
Intrinsic Mechanism of Mobility Collapse in Short MOSFETs
短MOSFET迁移率崩溃的内在机制
相关领域
合并（版本控制） 电子迁移率 电场 阈值电压 排水诱导屏障降低 机动性模型 电子 电压 MOSFET 降级（电信） 材料科学 电气工程 机械 物理 晶体管 光电子学 计算机科学 工程类 电信 量子力学 情报检索
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2021.3105083
AI链接 archives-ouvertes.fr archives-ouvertes.fr hal.sciencedoi.org
DOI
10.1109/ted.2021.3105083 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：S. Cristoloveanu; G. Ghibaudo
出版日期：2021-08-26
求助人
wlf 在 2025-04-30 13:56:40 发布自山东，悬赏 10 积分
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