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 Single-Layer InGeS: Robust direct Bandgap, super high electron Mobility, long-lived Carriers, and Ohmic contact for Next-Generation Field-Effect transistors 单层InGeS：用于下一代场效应晶体管的鲁棒直接带隙、超高电子迁移率、长寿命载流子和欧姆接触
相关领域
欧姆接触
电子迁移率
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期刊：Chemical Physics 作者：Jie Cheng; Qian Zhang; Junlin Bao; Yuan Wen; Yong-Sheng Xie; et al 出版日期：2024-10-01 |
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