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Design and electrical modelling of a depletion-mode P-type triple-field-plated AlGaN/GaN on SiC HEMT with 2.45 kV breakdown voltage
2.45 kV击穿电压的SiC HEMT上耗尽模式P型三场电镀AlGaN/GaN的设计和电学建模
相关领域
高电子迁移率晶体管
击穿电压
光电子学
材料科学
电压
宽禁带半导体
电气工程
晶体管
工程类
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其它 |
期刊:Microsystem Technologies 作者:Sukdeb Nandi; Shashank Kumar Dubey; Mukesh Kumar; Aminul Islam 出版日期:2024-02-16 |
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