| 标题 |
 Complementary Resistive Switching Observed in Graphene Oxide-Based Memory Device 在基于氧化石墨烯的存储器件中观察到的互补电阻开关
相关领域
石墨烯
氧化物
电阻式触摸屏
堆栈（抽象数据类型）
电气工程
计算机科学
物理
材料科学
化学
纳米技术
工程类
操作系统
有机化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Kaixi Shi; Zhongqiang Wang; Haiyang Xu; Zhe Xu; Xiaohan Zhang; et al 出版日期：2018-02-15 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
杳鸢
不配.
YuanbinMao
嗯哼
乐乐乐乐乐乐
Endlessway
一一
完美的天空
8R60d8
36456657
HCLonely
xjcy
甜甜玫瑰
tuanheqi
精明的迎松
Billy
子车茗
三新荞
pluto
shinysparrow
皖公网安备34019202002308
