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 SiOx/polysilicon selective emitter prepared by PECVD-deposited amorphous silicon plus one-step firing enabling excellent J0,met of < 235 fA/cm2 and ρc of < 2 mΩ·cm2 PECVD沉积非晶硅+一步烧制SiOx/多晶硅选择性发射极，J0、met<235FA/cm2，ρ C<2m Ω·cm2
相关领域
材料科学
等离子体增强化学气相沉积
非晶硅
钝化
共发射极
硅
退火（玻璃）
兴奋剂
光电子学
无定形固体
化学气相沉积
晶体硅
纳米技术
复合材料
图层（电子）
有机化学
化学
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期刊：Solar Energy 作者：Mingjing Xiao; Zhenhai Yang; Zunke Liu; Haojiang Du; Na Lin; et al 出版日期：2023-07-23 |
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