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Influence of interface structure in the active region on photoluminescence in InGaN/GaN quantum wells
有源区界面结构对InGaN/GaN量子阱光致发光的影响
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期刊:Micro and Nanostructures 作者:Kaiju Shi; Chengxin Wang; Rui Li; Jianyang Deng; Haofeng Sun; et al 出版日期:2023-03-02 |
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