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 On reliable modeling of substrate/buffer loading effects in a gallium nitride high-electron-mobility transistor on silicon substrate 硅衬底上氮化镓高电子迁移率晶体管衬底/缓冲器负载效应的可靠模拟
相关领域
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期刊：Journal of Computational Electronics 作者：Anwar Jarndal; Ahmed S. Hussein 出版日期：2020-09-14 |
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