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![]() 扩展浮栅场效应晶体管(EGFET)的参数提取:根据I-V测量估计阈值电压、串联电阻和迁移率退化
相关领域
等效串联电阻
降级(电信)
系列(地层学)
阈值电压
材料科学
晶体管
光电子学
萃取(化学)
电子工程
电气工程
电压
工程类
化学
色谱法
古生物学
生物
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其它 |
期刊:SSRN Electronic Journal 作者:Yunsoo Park; Santosh Pandey 出版日期:2023-01-01 |
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