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 Dual gate indium-gallium-zinc-oxide thin film transistor with an unisolated floating metal gate for threshold voltage modulation and mobility enhancement 用于阈值电压调制和迁移率增强的具有非隔离浮动金属栅极的双栅极铟镓锌氧化物薄膜晶体管
相关领域
材料科学
薄膜晶体管
光电子学
阈值电压
栅极电介质
晶体管
栅氧化层
铟
金属浇口
电气工程
电压
图层（电子）
纳米技术
工程类
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| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Hsiao-Wen Zan; Wei-Tsung Chen; Chung-Cheng Yeh; Hsiu-Wen Hsueh; Chuang-Chuang Tsai; Hsin-Fei Meng 出版日期：2011-04-12 |
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