Two-dimensional wide band-gap nitride semiconductor GaN and AlN materials: properties, fabrication and applications

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标题	Two-dimensional wide band-gap nitride semiconductor GaN and AlN materials: properties, fabrication and applications 二维宽带隙氮化物半导体GaN和AlN材料的性能、制备及应用相关领域材料科学光电子学氮化物宽禁带半导体制作氮化镓带隙半导体工程物理纳米技术医学工程类病理替代医学图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1039/d1tc04022g
DOI	10.1039/d1tc04022g doi
其它	期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Zhongxin Wang; Wang Guo-dong; Xintong Liu; Shouzhi Wang; Tailin Wang; et al 出版日期：2021-01-01
求助人	刘子骞在 2024-03-12 22:16:08 发布自湖北，悬赏 10 积分
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