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 848 ppi high-brightness active-matrix micro-LED micro-display using GaN-on-Si epi-wafers towards mass production 基于GaN-on-Si外延片的848 ppi高亮度有源矩阵微LED微显示器的量产
相关领域
材料科学
薄脆饼
亮度
光电子学
有源矩阵
像素
光学
制作
发光二极管
纳米技术
薄膜晶体管
医学
物理
病理
替代医学
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：Optics Express 作者：Limei Qi; Xu Zhang; Wing Cheung Chong; Peian Li; Kei May Lau 出版日期：2021-03-19 |
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