Approaching Ohmic Contacts for Ideal Monolayer MoS2 Transistors Through Sulfur‐Vacancy Engineering

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标题	Approaching Ohmic Contacts for Ideal Monolayer MoS2 Transistors Through Sulfur‐Vacancy Engineering 用硫空位工程研究理想单层MoS2晶体管的欧姆接触相关领域单层欧姆接触材料科学理想（伦理）晶体管光电子学硫黄空位缺陷纳米技术凝聚态物理工程物理物理电气工程冶金电压图层（电子）哲学认识论工程类
网址	https://doi.org/10.1002/smtd.202300611
DOI	10.1002/smtd.202300611 doi
其它	期刊：Small methods 作者：Jiankun Xiao; Kuanglei Chen; Xiankun Zhang; Xiao-zhi Liu; Huihui Yu; et al 出版日期：2023-08-07
求助人	科科在 2023-12-10 19:29:10 发布自北京，悬赏 10 积分
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