Asymmetric Ferroelectric-Gated Two-Dimensional Transistor Integrating Self-Rectifying Photoelectric Memory and Artificial Synapse

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标题	Asymmetric Ferroelectric-Gated Two-Dimensional Transistor Integrating Self-Rectifying Photoelectric Memory and Artificial Synapse 集成自整流光电存储器和人工突触的非对称铁电门控二维晶体管相关领域铁电性材料科学晶体管非易失性存储器光电子学场效应晶体管光电效应纳米技术电气工程电压工程类电介质
网址	https://doi.org/10.1021/acsnano.2c04271
DOI	10.1021/acsnano.2c04271 doi
其它	期刊：ACS Nano 作者：Yurong Jiang; Linlin Zhang; Rui Wang; Lipeng Zhang; Lin Li; et al 出版日期：2022-06-22
求助人	颀偲Vincent 在 2024-03-06 17:09:19 发布自天津，悬赏 10 积分
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