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 Oxygen Vacancy Transition in HfOx‐Based Flexible, Robust, and Synaptic Bi‐Layer Memristor for Neuromorphic and Wearable Applications 用于神经形态和可穿戴应用的基于HfOx的柔性、鲁棒和突触双层忆阻器中的氧空位跃迁
相关领域
神经形态工程学
记忆电阻器
材料科学
光电子学
双层
X射线光电子能谱
透射电子显微镜
纳米技术
电子工程
计算机科学
人工神经网络
化学工程
化学
工程类
机器学习
生物化学
膜
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期刊：Advanced materials and technologies 作者：Aftab Saleem; Dayanand Kumar; Amit Singh; Sailesh Rajasekaran; Tseung‐Yuen Tseng 出版日期：2022-02-24 |
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