Gate bias voltage dependence of Cardiff admittance model in Ka-band GaAs pHEMTs

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标题	Gate bias voltage dependence of Cardiff admittance model in Ka-band GaAs pHEMTs Ka波段GaAs PHEMT中Cardiff导纳模型与栅偏压的关系相关领域高电子迁移率晶体管偏压导纳晶体管电压导纳参数物理砷化镓材料科学电气工程计算物理学光电子学工程类电阻抗
网址	https://doi.org/10.1109/pawr53092.2022.9719858
DOI	10.1109/pawr53092.2022.9719858 doi
其它	期刊：作者：Alexander Baddeley; Ehsan Azad; Roberto Quaglia; James Bell; P.J. Tasker 出版日期：2022-01-16
求助人	romio 在 2023-08-25 09:57:33 发布自四川，悬赏 10 积分
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