First Demonstration of High‐Frequency InAlN/GaN High‐Electron‐Mobility Transistor Using GaN‐on‐Insulator Technology via 200 mm Wafer Bonding

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标题	First Demonstration of High‐Frequency InAlN/GaN High‐Electron‐Mobility Transistor Using GaN‐on‐Insulator Technology via 200 mm Wafer Bonding 通过200 mm晶圆键合使用绝缘体上GaN技术首次演示高频InAlN/GaN高电子迁移率晶体管相关领域光电子学材料科学薄脆饼晶体管晶片键合绝缘体上的硅高电子迁移率晶体管电气工程硅工程类电压
网址	https://doi.org/10.1002/pssa.202300953
DOI	10.1002/pssa.202300953 doi
其它	期刊：Physica status solidi. A, Applications and materials science 作者：Hanchao Li; Hanlin Xie; Yue Wang; Yulia Lekina; Kumud Ranjan; et al 出版日期：2024-05-15
求助人	ZZZ 在 2024-07-16 12:24:49 发布自中国，悬赏 10 积分
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