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 CMOS-compatible GaN-on-Si HEMTs with cut-off frequency of 210 GHz and high Johnson’s figure-of-merit of 8.8 THz V 截止频率为210 GHz，高约翰逊品质因数为8.8 THz V的CMOS兼容GaN-on-Si HEMT
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期刊：Applied Physics Express 作者：Hanlin Xie; Zhihong Liu; Yu Gao; Kumud Ranjan; Kenneth E. Lee; et al 出版日期：2020-01-10 |
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