In Situ Implanting of Single Tungsten Sites into Defective UiO‐66(Zr) by Solvent‐Free Route for Efficient Oxidative Desulfurization at Room Temperature

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标题	In Situ Implanting of Single Tungsten Sites into Defective UiO‐66(Zr) by Solvent‐Free Route for Efficient Oxidative Desulfurization at Room Temperature 通过无溶剂途径在缺陷UiO-66（Zr）中原位植入单个钨位点，实现室温下的高效氧化脱硫相关领域钨催化作用烟气脱硫硫黄原位溶剂化学工程材料科学同种类的 Atom（片上系统）无机化学化学组合化学有机化学嵌入式系统工程类物理热力学计算机科学
网址	https://doi.org/10.1002/anie.202107018
DOI	10.1002/anie.202107018 doi
其它	期刊：Angewandte Chemie 作者：Gan Ye; Hanlu Wang; Wenxing Chen; Hongqi Chu; Jinshan Wei; et al 出版日期：2021-07-19
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