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 Analysis of the Optical Properties and Electronic Structure of Semiconductors of the Cu2NiXS4 (X = Si, Ge, Sn) Family as New Promising Materials for Optoelectronic Devices 作为光电器件新材料的Cu2NiXS4(X=Si，Ge，Sn）族半导体的光学性质和电子结构分析
相关领域
材料科学
半导体
光电子学
工程物理
物理
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| 其它 |
期刊：Deleted Journal 作者：Dilshod Nematov 出版日期：2024-01-30 |
| 求助人 | |
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